3. 

        <meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
		首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
          




          
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	gan system
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          三相集成GaN技術如何更大限度地提高電機驅動器的性能
          
                                                            
            
                    	
          • 在應對消費類電器、樓宇暖通空調(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅動裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應，通過實施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標準(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進建立系統(tǒng)能效評級體系。變頻驅動器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率，特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機轉速，并進行高頻脈寬調制(PWM)開關，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202409  三相集成GaN  電機驅動器  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產業(yè)化項目延期
          
                                                            
            
                    	
          • 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 
功率器件及封測的研發(fā)及產業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產 SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          CAGR達49%，2030全球GaN功率元件市場規(guī)?；蛏?3.76億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 根據TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power 
Device市場分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據中心和電機驅動等場景為核心。AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，C
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        CAGR  GaN  功率元件                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          TrendForce：預計2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模上升至43.76億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 8月15日消息，根據TrendForce集邦咨詢最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。報告顯示，非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據中心和電機驅動等場景為核心。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        英飛凌  德州儀器  GaN  功率元件                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          TrendForce：預計 2030 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模 43.76 億美元，復合年均增長率達 49%
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長率）達 49%。據介紹，消費電子是功率 GaN 產業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        功率器件  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
          
                                                            
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        羅姆  SiC  氮化鎵  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          是德科技推出System Designer和Chiplet PHY Designer，優(yōu)化基于數(shù)字標準的仿真工作流程
          
                                                            
            
                    	
          • ●? ?借助由仿真驅動的虛擬合規(guī)性測試解決方案，采用更智能、更精簡的工作流程，提高?PCIe?設計的工作效率●? ?具有設計探索和報告生成能力，可加快小芯片的信號完整性分析以及?UCIe?合規(guī)性驗證，從而幫助設計師提高工作效率，縮短新產品上市時間System Designer for PCIe?是一種智能的設計環(huán)境，用于對最新PCIe Gen5?和?Gen6?系統(tǒng)進行建模和仿真是德科技（
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        是德科技  System Designer  Chiplet PHY Designer  仿真                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          第三代半導體，距離頂流差了什么
          
                                                            
            
                    	
          • 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關注：Yole 數(shù)據顯示，2026 年 GaN 市場規(guī)模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。新能源車的最大
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          英飛凌加速氮化鎵布局，引領低碳高效新紀元
          
                                                            
            
                    	
          • 近年來，隨著科技的不斷進步和全球對綠色低碳發(fā)展的需求日益增長，半導體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者，英飛凌在氮化鎵領域持續(xù)深耕，通過戰(zhàn)略布局、技術創(chuàng)新、市場應用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        氮化鎵  英飛凌  GaN Systems                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？
          
                                                            
            
                    	
          • 氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點在于其超快的開關速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進了開關頻率的大幅提升，進而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅，通過實現(xiàn)極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實現(xiàn)了數(shù)量級的優(yōu)化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢，氮化鎵的應用不僅促進了系統(tǒng)性
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          氮化鎵（GaN）的最新技術進展
          
                                                            
            
                    	
          • 本文要點? 氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。? 氮化鎵技術可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經常用于一些轉換器和驅動器應用氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術如何顛覆整個行業(yè)。氮化
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術
          
                                                            
            
                    	
          • 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內核以及相關知識產權(IP)。公司將為無線基礎設施、軍事和衛(wèi)星通信應用開發(fā)新的GaN器件產品線并實現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Guerrilla RF  Gallium GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商
          
                                                            
            
                    	
          • 7月1日，純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布已收購Tagore專有且經過生產驗證的功率氮化鎵（GaN）技術及IP產品組合，以突破汽車、物聯(lián)網和人工智能（AI）數(shù)據中心等廣泛電源應用的效率和性能界限。資料顯示，無晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月，旨在開拓用于射頻和電源管理應用的GaN-on-Si半導體技術，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。格芯表示，此次收購進一步鞏固公司對大規(guī)模生產GaN技術的決心，該技術提供多種優(yōu)勢，可幫助數(shù)據中心滿足不斷增長的電力需求，
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        晶圓代工  格芯  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          臺達電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，瞄準GaN
          
                                                            
            
                    	
          • 6月21日，臺達電子宣布與全球半導體領導廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室。臺達表示，此舉不僅深化雙方長期合作關系，亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵（GaN）等半導體相關領域多年的豐富經驗及創(chuàng)新技術，強化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強臺達在電動車領域的核心競爭力。臺達交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動車方案事業(yè)群總經理唐修平表示：“透過與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實驗室，運用TI在數(shù)位控制及GaN領域豐富經驗與技術優(yōu)勢，提升電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能，期盼雙方達到更緊密的技術交流及合作，以更具前瞻
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        臺達電子  TI  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          GaN“上車”進程加速，車用功率器件市場格局將改寫
          
                                                            
            
                    	
          • 根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場2023至2029年平均復合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進程加速，功率器件器件市場競爭格局或將被改寫。圖1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        GaN  車用功率器件  Transphorm  SiC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共338條
	1/23															1																2																3																4																5																6																7																8																9																10																																																																																																																																																						»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          gan system介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan system!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan system的理解，并與今后在此搜索gan system的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業(yè)會員服務 - 
        		網站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473
      		
          
    	
          
  	





          




          



看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人

(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();